Browsing by Author "Sağlam, M."

Now showing 1 - 2 of 2

Open Access
Bektaşî fıkralarının "uyumsuzluk kuramı" bağlamında incelenmesi
(Geleneksel Yayıncılık, 2013) Sağlam, M.
Kısa, nükteli hikâyecik anlamına gelen ve insanlar üzerinde gülme etkisi gösteren türlerden biri fıkradır. Fıkralar kısa ve özlü yazılar olmalarına rağmen geniş bir inceleme alanına konu olmuştur. “Gülme” ve “mizah” da bu inceleme alanlarından biridir. Bu çalışmada, temel gülme kuramlarından biri olan Uyumsuzluk Kuramı, Bektaşî fıkralarına uygulanmıştır. Bektaşî fıkralarında gülmeye neden olan zıtlık ve aykırılıklara neyin sebep olduğu sorusuna Uyumsuzluk Kuramı vasıtasıyla cevap aranmış ve bazı sonuçlara ulaşılmıştır. Uyumsuzluk Kuramının temeli insanların beklentilerine uymayan bir durum karşısında verdiği tepkiye dayanır. Bektaşî fıkralarında gülmeye neden olan temel nokta umulan ve bulunan arasındaki uyumsuzluktur. Bektaşî fıkralarındaki Bektaşî tipi Türk şehir kültürünün yarattığı bir tiptir. Toplum, eleştirmek istediği, beğenmediği fakat söyleyemediği şeyleri bu tip üzerinden dile getirir. Bektaşî tipinin toplumda var olan genel ahlak kurallarına karşı çıkışı ve bu kurallara uygun hareket etmeyişi çatışma yaratır. Bektaşî fıkralarındaki bu uyumsuzluk ve karşıtlıkların, insanların gülme mekanizmasını harekete geçirdiği saptanmıştır. Zaten Bektaşî tipi Allah’la senli benli konuşması, dini kendine göre algılaması ve yorumlaması, giyinişi, yaşayışı kısacası her şeyiyle başlı başına bir uyumsuzluk kaynağıdır. Uyumsuzluk Kuramında da temel olan insanların fıkranın sonunda beklediği sonuca varması değil bunun tam tersine hiç beklemediği, sürpriz bir sonla karşılaşmasıdır. Sürpriz son okuyucunun/dinleyicinin algısında beklenmedik bir değişikliğe yol açar ve onun gülmesini sağlar.
Open Access
Two-electron singlet states in semiconductor quantum dots with Gaussian confinement: a single-parameter variational calculation
(IOP, 2007) Boyacıoğlu, B.; Sağlam, M.; Chatterjee, Ashok
The problem of two electrons in a three-dimensional quantum dot with Gaussian confinement is investigated for the singlet pairing by a variational method with a very simple wavefunction containing only a single parameter and a Jastrow-like factor, which is shown to yield fairly good results for deep confining potentials. The calculation is also performed for a few realistic semiconductor quantum dots and the phase diagrams for the two-electron singlet states are obtained for these materials. The pair density function is calculated for several parameter values and its peak positions are obtained as a function of the confinement length and the depth of the potential to study the behaviour of the electron-pair size. The size of the bound pair of electrons is also obtained by directly calculating the average distance between the two electrons in three different ways and compared with the pair correlation results. It is furthermore shown that, other properties remaining the same, the two-electron energy and the electron-pair size depend crucially on the effective electronic mass and the dielectric constant of the material. Finally, the ways of improving the wavefunction are also indicated.