InGaN/GaN LED yapıların mozaik yapı analizi

Simple item page
buir.contributor.authorÖzbay, Ekmel
buir.contributor.orcidÖzbay, Ekmel|0000-0003-2953-1828
dc.citation.epage126en_US
dc.citation.issueNumber14en_US
dc.citation.spage123en_US
dc.contributor.authorDurukan, İ. K.
dc.contributor.authorÖztürk, M. K.
dc.contributor.authorÖzçelik, S.
dc.contributor.authorÖzbay, Ekmel
dc.date.accessioned2020-11-12T07:02:44Z
dc.date.available2020-11-12T07:02:44Z
dc.date.issued2018
dc.departmentDepartment of Electrical and Electronics Engineeringen_US
dc.departmentDepartment of Physicsen_US
dc.departmentInstitute of Materials Science and Nanotechnology (UNAM)en_US
dc.departmentNanotechnology Research Center (NANOTAM)en_US
dc.description.abstractBu çalışmada, MOCVD yöntemi ile üretilen InGaN/GaN ışık yayan diyot (LED) yapılarının mozaik yapıları analiz edildi. Safir alttaş üzerine biriktirilen, farklı In kompozisyonuna sahip InGaN/GaN bariyer tabakasının mozaik yapı üzerine etkisi Yüksek Çözünürlü X Işını Kırınımı (HR-XRD) yöntemi ile karakterize edildi. Amacımız mozaik yapı hesaplarından yararlanarak LED yapısının kalitesini arttırmaktır. Günümüzde LED' lerin geniş bir kullanım alanına sahip olmasından dolayı sektörde büyük bir pazar payı bulunmaktadır. Özellikle InGaN gibi, GaN bazlı LED' ler arsenik bazlı LED' lerden daha yüksek güç, sıcaklık ve frekans aralıklarında çalışabilirler. Ancak GaN tabanlı LED' ler hala yüksek kusur yoğunluklarına sahiptir. Bu nedenle çalışmalarımızda mozaik yapı analizi yapıldı. Hesaplamalarımızda Vegard ve William Hall yarı deneysel metotları kullanıldı. Kompozisyonun, kenar ve vida türü kusurların azalmasına yol açan önemli bir faktör olduğunu söyleyebiliriz.en_US
dc.description.abstractIn this study, Mosaic structures of InGaN / GaN light emitting diode (LED) structures produced by MOCVD method were analyzed. The effect of the InGaN / GaN barrier layer deposited on the sapphire substrate on the mosaic structure characterized by high resolution X-ray diffraction (HR-XRD) method. Our aim is to increase the quality of the LED structure by taking advantage of the mosaic structure calculations. Today, LEDs have a large market in the industry for the reason that they have a wide use. In particular, GaN-based LEDs, such as InGaN, operate at higher power, temperature and frequency ranges than arsenic-based LEDs. But GaNbased LEDs still have high defect densities. For this reason, we performed mosaic structure analysis in our work. In our calculations, Vegard and William's Hall quasi-experimental methods were used. We can say that the composition is an important factor leading to the reduction of edge and screw type defects.
dc.identifier.doi10.31590/ejosat.429153en_US
dc.identifier.eissn2148-2683
dc.identifier.issn2148-2683
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11693/54494
dc.language.isoTurkishen_US
dc.publisherOsman Sağdıçen_US
dc.relation.isversionofhttps://doi.org/10.31590/ejosat.429153en_US
dc.source.titleAvrupa Bilim ve Teknoloji Dergisien_US
dc.subjectLED yapılaren_US
dc.subjectMozaik yapı analizien_US
dc.subjectXRDen_US
dc.subjectMOCVDen_US
dc.subjectLED structuresen_US
dc.subjectMosaic structure analysisen_US
dc.titleInGaN/GaN LED yapıların mozaik yapı analizien_US
dc.typeArticleen_US

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
InGaN_GaN_LED_yapıların_mozaik_yapı_analizi.pdf
Size:
837.98 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download

Collections

Department of Physics